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功率器件晶圆
IGBT,SiC,FRD,MOSFET,SGT
功率器件单管
单管类型:IGBT,SiC,FRD,SGT,PMOS,NMOS
功率器件模块
电压等级:650V~1700V
电流等级:15A~900A
核心价值观
客户导向
客户需求为灯塔,客户体验为标尺,客户满意是前行的动力
求实创新
求实是扎根行业的基础,创新是扬帆起航的动力,唯有求实创新方能踏浪前行
主动担当
主动担当是恪尽职守与精益求精的执着
追求卓越
追求卓越是企业的引擎,对客户全力以赴,对技术勇于创新
自由容器
IGBT应用领域
工业控制:感应加热、逆变焊机,变频 新能源:光伏逆变、储能、风能、电能质量、数据中心、新能源车及充电桩 产品优点:低饱和压降,低开关损耗,高电流密度,高短路能力,高抗闩锁能力
MOSFET应用领域
电机、PD快充、电池管理 产品优点:优异的雪崩耐量EAS,低导通电阻,抗冲击能力强,更快的开关速度,先进的终端设计,高可靠性
新闻资讯
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关于我们
嘉兴功顶半导体有限公司专注于IGBT和SiC MOSFET芯片产品研发,致力于实现高端功率器件的国产替代,产品重点面向工业控制、光储
充
、数据中心和新能源车领域。核心团队来自业内头部功率半导体企业,是国内较早从事MOSFET和IGBT工艺平台和器件开发的资深团队。
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